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本發明開發一系列具極低介電特性之配位化合物及其複合材料，其介電常數可低至2.4。本發明之材料結構中無客體分子，於空氣，水氣中可長時間保持穩定，並且並具高化學穩定性與高熱穩定性。本系列材料與多孔SiO2相容性佳， 為一具前瞻性，高應用性之新型低介電材料。

低介電材料必須滿足諸多嚴格條件，分別為低介電常數，高熱穩定性，以及高化學穩定性。本發明之系列配位聚合物製備容易，成本低廉。具極低介電常數 (k = 2.4)，結構中不具客體分子，在空氣中，水氣中極為安定，且具高熱穩定性，於多種化學溶劑下亦能保持結構穩定。 本系列材料和多孔SiO2相容性佳。 
本發明之系列配位聚合物具極低介電常數，其介電值甚至低於SiO2和商業SiLKTM。本系列低介電材料合成為自組裝反應，製作簡單，成本遠低於現有技術。結構上無客體分子，可長時間保持穩定。本發明的另一個優點是與氟矽酸鹽玻璃（FSG）相比，這些配位聚合物對各種常用溶劑具有耐受性，並於空氣和濕度條件中不變質。
本發明之材料在一定溫度範圍內保持其低介電特性。
本高潛力之絕緣介電質，可用於所有積體電路元件中。相對於現行所使用的SiLKTM有更多優勢。