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石墨烯除了當晶種層亦可作為擴散阻擋層（diffusion barrier）。其特性比常見的銅晶種層有較長的停滯時間，將可避免表面氧化生成。應用於金屬連線(interconnect)將可降低整體導線電阻與提高可靠度。將石墨烯作為阻障層/晶種層用於現今雙鑲嵌製程中，則形成的conformal 銅電鍍。若將石墨烯作為cap layer，可成為由下而上的銅電鍍。上述兩者皆可與銅電鍍結合用於現今雙鑲嵌後段金屬製程或是3D IC 的Through Silicon Via(TSV)中。