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極紫外線（EUV）光刻技術是當前半導體晶片製造的前沿技術，在半導體產業中扮演著關鍵角色，然而，市場上仍缺乏一種經濟有效的成像感測器，用來進行EUV光束診斷。本發明揭露了遠紫外線、極紫外線、軟X射線、和硬X射線的感測與成像方法及其偵測系統，使用的是具有氮-空位中心的鑽石晶體作為閃爍體，將電離輻射轉換為可見螢光，再由光電二極體、CCD、或 CMOS 感測器檢測。當使用螢光奈米鑽石（FNDs）時，我們透過電噴灑沉積法，在導電或非導電的基材上製備均勻的FND薄膜，取代昂貴的鑽石單晶。此外，我們還開發了電腦程式來控制影像感測器，並分析該電離輻射光束輪廓，進行品質管控。本發明具有高耐用性、低成本、低維護、以及與現有EUV和下一代光刻技術完全相容的優點。

• 1. 高電離輻射-可見光轉換效率
• 2. 電噴灑沉積法製作均勻的螢光奈米鑽石薄膜
• 3. 與常用的光電二極體、CCD 或 CMOS 感測器作完美結合
• 4. 感測和成像都可使用
• 5. 高耐光性與高耐用性
• 6. 低成本與低維護
• 7. 經電離輻射照射，無延遲發光現象
• 8. 完全相容於現有的同步輻射及極紫光刻技術
• 9. 環境友善，無毒