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中國ZL 201110189082.5放棄維護、台灣(發明)I588285放棄維護、美國US 8685843 B2放棄維護

過去習用以化學氣相沉積法於金屬基材(如習用的銅與鎳)表面得以成長兼具大面積且高品質的石墨烯(Reina, A. et. al., Nano Letters 2008, 9 , 30-35; Li, X. et. al.,Science 2009, 324, 1312-1314; Sukang, B., et. al., Nature Nanotechnology, 2010,5, 574-578)。然而，這些方法皆需要一個轉移的步驟，將成長好的石墨烯由金屬基材上轉移至所需要的基板，因而導致石墨烯薄膜發生破裂或不規則之皺摺，並且於石墨烯留下殘留的雜質，造成石墨烯本質優異的材料特性受到嚴重影響。這個轉移的步驟並無法相容於目前的半導體製程中，而限制了實際應用的可能性。本專利即提供一個簡易且可靠度高的方法，直接將石墨烯成長於所需的基材上而無須此轉移製程。

積體電路元件(如記憶體、邏輯電路、射頻電路) 透明導電膜(如薄膜電晶體顯示器、觸控面板、太陽能電池、發光二極體) 超級電容以及功能性複合材料(如三明治結構:石墨烯/金屬或金屬離子/石墨烯) 感測元件(如生醫、氣體、化學、溫度或應力感測器) 與現有之技術相比較後，列舉此項發明的優點 過去習用以化學氣相沉積法於金屬基材(如習用的銅與鎳)表面得以成長兼具大面積且高品質的石墨烯(Reina, A. et. al., Nano Letters 2008, 9 , 30-35; Li, X. et. al.,Science 2009, 324, 1312-1314; Sukang, B., et. al., Nature Nanotechnology, 2010,5, 574-578)。然而，這些方法皆需要一個轉移的步驟，將成長好的石墨烯由金屬基材上轉移至所需要的基板，因而導致石墨烯薄膜發生破裂或不規則之皺摺，並且於石墨烯留下殘留的雜質，造成石墨烯本質優異的材料特性受到嚴重影響。這個轉移的步驟並無法相容於目前的半導體製程中，而限制了實際應用的可能性。本專利即提供一個簡易且可靠度高的方法，直接將石墨烯成長於所需的基材上而無須此轉移製程。