定位成長石墨烯之技術
定位成長石墨烯之技術
本院覽號
26A-1010224
公告日期
智財權狀態
台灣(發明)I526559放棄維護、美國已申請
摘要
在金屬基板底下會形成石墨烯薄膜,我們運用此特性,成功的運用標準的光學顯影方式達成石墨烯定位成長的目標,此技術避免了需實驗技巧的石墨烯取下及再次覆蓋的步驟,此技術可應用在次世代透明導電電極及高速元件的製作。
技術優勢
此技術避免了需高度實驗技巧的石墨烯取下及再次覆蓋的步驟,同時可運用標準的光學顯影方式達成石墨烯定位成長的目標。
應用範圍
半導體產業
發光二極體產業
創作人
林時彥、林孟佑、陳書涵
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