製作氮化鎵基板及元件之方法
技術授權與產學合作諮詢
製作氮化鎵基板及元件之方法
本院覽號
26A-990301
公告日期
智財權狀態
美國臨時案已申請、台灣(發明)I 451480放棄維護、美國US 8,501,597 B2放棄維護
摘要
此專利為製作大面積與低缺陷之三族氮化物半導體基板與其元件，此方法可以製作高品質低缺陷氮化鎵基板，並且與側向磊晶法(ELOG)相比較下此技術無存在高缺陷密度區域，此外此基板可以當作一獨立基板。
技術優勢
此發明提供一有效的技術可降低氮化鎵之缺陷密度，與側向成長法相比較，此方法為無任何一區域為高缺陷密度。
應用範圍
以氮化鎵基材之光電元件，例如 氮化鎵白光發光二極體，雷射二極體等
創作人
程育人、羅明華、郭浩中
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製作氮化鎵基板及元件之方法