應變感應器及其製造方法
應變感應器及其製造方法
本院覽號
02A-950810
公告日期
智財權狀態
美國US 7690263 B2放棄維護、台灣(發明)I 373864放棄維護
摘要
本發明係有關一種具穿隧磁阻性質之應變規。 由於它具有極高之靈敏度，特別適於作為偵測在極小的局部區域內微量應變改變之感應元件。 另外，且由於使用此種應變規後，其輸出訊號明顯，故用於讀取訊號之電路將可為之簡化，從而降低成本。
技術優勢
在低應變量(例如 25 × 10-6)範圍內其γ值可為5000至20000。 在低應變量範圍內，其R或ΔR對 之反應曲線是極度線性的。 零應變時之電阻值(即Ro值)可經由簡單之調整絕緣層(AlOx)之厚度而予以改變。 但勿須特別將Ro限定為標準之120 Ω或250 Ω。 其待測區之面積(即MTJ連接點之面積)可較傳統者小很多(或至少小十倍)，更適於作為一種微型元件。 用來偵測極小區域內之應變量。
應用範圍
可作為一具極高靈敏度之感壓式微型元件
創作人
任盛源、陳元宗、陳文智、姚永德
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