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美國US8,277,903B2放棄維護、台灣(發明)I 374132放棄維護、美國US 9034439 B2放棄維護

已知利用加熱產生稠五苯的方法，多半會裂解出含有重原子的（如硫及鹵素等）副產物殘留在薄膜上，容易造成污染，降低稠五苯薄膜的純度及其電荷遷移效率。另有利用照光的方法引發裂解者，產率低故稠五苯的純度不高。本法改善這些缺點，合成多種稠五苯前軀物，可同時用加熱及照光的方式產生稠五苯，反應之產率高而薄膜之純度佳。裂解出的副產物的分子量小，活性低，但揮發性高，因而容易去除。此項發明不僅優於國際大廠如菲利浦及IBM發表之材料，並開闢另一蹊徑，可躍過兩大公司專利所涵蓋之範圍。

可應用於製造有機薄膜電晶體(OTFT)元件。其衍生之產品包括一般積體電路，平面顯示器，液晶顯示器，化學偵測器，光電池，聲頻標籤以及各式可撓性光電元件。